-
1 МОП-структура с поверхностными затворами
Engineering: surface gate MOS, surface-gate MOSУниверсальный русско-английский словарь > МОП-структура с поверхностными затворами
-
2 транзистор
crystal triode, semiconductor triode* * *транзи́стор м.
transistorбыть вы́полненным по́лностью на транзи́сторах — be fully transistorizedвключа́ть транзи́стор по схе́ме, напр. с о́бщей ба́зой — connect a transistor in, e. g., a common-base [grounded-base] circuitзапира́ть транзи́стор — drive a transistor to cut-off, cut off [turn off] a transistorиспо́льзовать транзи́стор в акти́вном режи́ме [в акти́вной о́бласти] — bring a transistor into its active regionтранзи́стор нахо́дится [рабо́тает] в режи́ме насыще́ния [в о́бласти насыще́ния] — the transistor is at saturationтранзи́стор нахо́дится [рабо́тает] в режи́ме обедне́ния — the transistor operates in the depletion modeтранзи́стор нахо́дится [рабо́тает] в режи́ме отсе́чки [в о́бласти отсе́чки] — the transistor is [operating] at cut-offотпере́ть транзи́стор — render a transistor conductive, turn on a transistorанало́говый транзи́стор — analog transistorтранзи́стор бегу́щей волны́ — travelling-wave transistorбездре́йфовый транзи́стор — diffusion transistorбиполя́рный транзи́стор — bipolar transistorбу́синковый транзи́стор — bead transistorва́куумно-осаждё́нный транзи́стор — vacuum deposited transistorвы́ращенный транзи́стор — grown(-junction) transistorвысокочасто́тный транзи́стор — high-frequency transistorгерма́ниевый транзи́стор — germanium transistorтранзи́стор двойно́го леги́рования — double-doped transistorдвухба́зовый транзи́стор — double-base transistorдвухколле́кторный транзи́стор — double-collector transistorдвухэми́ттерный транзи́стор — double-emitter transistorдискре́тный транзи́стор — discrete transistorдиффузио́нный транзи́стор ( изгоговленный по диффузионной технологии) — diffused transistor (не путать с бездре́йфовым транзи́стором diffusion transistor, где diffusion указывает на характер движения носителей)транзи́стор для логи́ческой схе́мы — logic transistorтранзи́стор для переключа́тельных схем — switching(-type) transistorдре́йфовый транзи́стор — drift transistorизоли́рованный транзи́стор ( в монолитной интегральной схеме) — isolated transistorинтегра́льный транзи́стор — integrated transistorкана́льный транзи́стор — field-effect [unipolar] transistorконверсио́нный транзи́стор — post-alloy diffused transistorкре́мниевый транзи́стор — silicon transistorлави́нный транзи́стор — avalanche transistorтранзи́стор, леги́рованный зо́лотом — gold-doped transistorМДП-транзи́стор — insulated-gate field-effect transistor, IGFETМДП-транзи́стор с индуци́рованным кана́лом — induced-channel insulated-gate field-effect transistor, induced-channel IGFETМДП-транзи́стор с проводя́щим кана́лом — conductive-channel insulated-gate field-effect transistor, conductive-channel IGFETме́за-транзи́стор — mesa transistorмикросплавно́й транзи́стор — microalloy transistorтранзи́стор микросхе́мы — transistor microelementМОП-транзи́стор — metal-oxide-semiconductor transistor, MOS-transistor, MOSFETМОП-транзи́стор, рабо́тающий в режи́ме обедне́ния — depletion-mode metal-oxide-semiconductor transistor, depletion-mode MOS-transistor, depletion-mode MOSFETМОП-транзи́стор, рабо́тающий в режи́ме обогаще́ния — enhancement-mode metal-oxide-semiconductor transistor, enhancement-mode MOS-transistor, enhancement-mode MOSFETмо́щный транзи́стор — power transistorтранзи́стор на криста́ллике — chip transistorнапылё́нный транзи́стор — evaporated transistorобратнодиффу́зный транзи́стор — outdiffused transistorобратнопла́вленный транзи́стор — meltback transistorобращё́нный транзи́стор — inverce transistorоднокра́тно диффу́зионный транзи́стор — single-diffused transistorодноперехо́дный транзи́стор — unijunction transistorоптикоэлектро́нный транзи́стор — electrooptical transistor, optotransistorплана́рный транзи́стор — planar transistorплоскостно́й транзи́стор — junction transistorпове́рхностно-барье́рный транзи́стор — surface-barrier transistorпове́рхностно-сплавно́й транзи́стор — surface-alloy transistorполево́й транзи́стор — field-effect transistor, FETзапере́ть полево́й транзи́стор по управля́ющему электро́ду — gate off a FETотпере́ть полево́й транзи́стор по управля́ющему электро́ду — gate on a FETполево́й транзи́стор с двумя́ затво́рами — double-gate field-effect transistor, double-gate FETполево́й транзи́стор с затво́ром на гетероперехо́де — heterojunction-gate field-effect transistor, heterojunction-gate FETполево́й транзи́стор с изоли́рованным затво́ром — insulated-gate field-effect transistor, IGFETполево́й транзи́стор с индуци́рованным кана́лом — induced-channel field-effect transistor, induced-channel FETпролё́тный транзи́стор — transit-time transistorсверхминиатю́рный транзи́стор — subminiature transistorСВЧ транзи́стор — microwave transistorтранзи́стор с гетероперехо́дом — heterojunction transistorтранзи́стор с инже́кцией носи́телей — injection-type transistorсплавно́й транзи́стор — alloy transistorтранзи́стор с пла́вным перехо́дом — graded-junction transistorтранзи́стор с ре́зкими перехо́дами — abrupt-junction transistorтранзи́стор с эми́ттером встре́чно-штырево́й констру́кции — interdigitated transistor, ITтранзи́стор с эми́ттером гребе́нчатого ти́па — interdigitated transistor, ITтранзи́стор табле́точного ти́па — tab transistorтранзи́стор p [m2]-n [m2]-p [m2]-ти́па — p -n -p -transistorтранзи́стор p [m2]-n [m2]-p [m2]-n [m2]-ти́па — p -n -p -n -transistorтолстоплё́ночный транзи́стор — thick-film transistorтонкоплё́ночный транзи́стор — thin-film transistorто́чечный транзи́стор — point(-contact) transistorтунне́льный транзи́стор — tunnel transistorтя́нутый транзи́стор — grown-junction transistorуниполя́рный транзи́стор — unipolar [field-effect] transistorуправля́ющий транзи́стор — control transistorчетырёхсло́йный транзи́стор — four-layer transistorчетырёхэлектро́дный транзи́стор — four-electrode transistorэпитаксиа́льный транзи́стор — epitaxial transistor -
3 технология
1) <engin.> engineering
2) know-how
3) process engineering
4) technique
5) technology
– планарная технология
– судостроительная технология
– технология безотходная
– технология изготовления
– технология машиностроения
– технология программирования
– технология производства
– технология сварки
МОП технология с биполярными структурами — bipolar-enhanced MOS
технология выплавки стали — steelmaking practice
технология доменного производства — blast-furnace operation practice
технология интергральных схем — integrated-circuit technology
технология ИС со средней степенью интеграции — medium-scale technology
технология КМОП-схем с удлиненными затворами — drawn-gate CMOS process
технология монтажа на поверхности — surface mounting
технология нанесения мелкодисперсного покрытия — particle technology
См. также в других словарях:
Gate oxide — The gate oxide is the third region of the MOSFET between the source and drain. It is a thin layer of pure, defect free, 5 200 nm thick thermally grown oxide. It serves as the dielectric layer so that the gate can sustain as high as 1 to 5 MV/cm… … Wikipedia
Insulated-gate bipolar transistor — The insulated gate bipolar transistor or IGBT is a three terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. It switches electric power in many modern appliances: electric cars, variable speed refrigerators, air… … Wikipedia
Moscow — /mos koh/ or, for 1, 2, / kow/, n. 1. Russian, Moskva. a city in and the capital of the Russian Federation, in the W part: capital of the former Soviet Union. 8,967,000. 2. Also called Grand Duchy of Moscow. Muscovy (def. 1). 3. a city in W Idaho … Universalium
MOSFET — Two power MOSFETs in the surface mount package D2PAK. Operating as switches, each of these components can sustain a blocking voltage of 120 volts in the OFF state, and can conduct a continuous current of 30 amperes in the ON state, dissipating up … Wikipedia
transistor — /tran zis teuhr/, n. 1. Electronics. a semiconductor device that amplifies, oscillates, or switches the flow of current between two terminals by varying the current or voltage between one of the terminals and a third: although much smaller in… … Universalium
Depletion region — In semiconductor physics, the depletion region, also called depletion layer, depletion zone, junction region or the space charge region, is an insulating region within a conductive, doped semiconductor material where the mobile charge carriers… … Wikipedia
Thermische Oxidation von Silizium — Die thermische Oxidation von Silizium ist in der Halbleitertechnik ein Beschichtungsverfahren, bei dem auf einem einkristallinen Siliziumsubstrat (beispielsweise einem Silizium Wafer) eine dünne Schicht aus amorphen Siliziumdioxid aufgebracht… … Deutsch Wikipedia
Power MOSFET — A Power MOSFET is a specific type of Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) designed to handle large power. Compared to the other power semiconductor devices (IGBT, Thyristor...), its main advantages are high commutation speed … Wikipedia
Federico Faggin — (né le 1er décembre 1941 à Vicence, en Vénétie) est un physicien et inventeur italien, spécialisé en physique du solide. Pionnier de l informatique et de la technologie des semi conducteurs, il est l un des pères du microprocesseur, et… … Wikipédia en Français
Transistor — For other uses, see Transistor (disambiguation). Assorted discrete transistors. Packages in order from top to bottom: TO 3, TO 126, TO 92, SOT 23 A transistor is a semiconductor device used to amplify and switch electronic signals and power. It… … Wikipedia
Lau Wai Shing — Wai Shing Lau (simplified Chinese name: 刘偉成, born July 29, 1955 in Hong Kong) is also known as Lau Wai Shing. The family name of Lau is sometimes spelled as Liu like Liu Bang (founder of the Han dynasty) or Liu Shaoqi or Liu Bocheng. This is… … Wikipedia
